2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
SIGC08T60EX7SA1 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

SIGC08T60EX7SA1

Üretici
Infineon
Kılıf / Paket
Açıklama
IGBT 3 CHIP 600V 15A WAFER

SIGC08T60EX7SA1 Hakkında

SIGC08T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 15A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 45A'e kadar pulse akımını destekleyebilir. Standard input tipiyle kontrol devrelerine kolay entegrasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük on-state voltajı (1.9V @ 15V, 15A) ile enerji kaybı minimize edilir. Die paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılabilir.

Ürün Özellikleri

11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V