Görsel mevcut değil
SIGC08T60EX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 15A WAFER
SIGC08T60EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC08T60EX1SA2, Trench Field Stop teknolojisine dayanan 600V/15A kapasiteli bir IGBT transistördür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, 1.9V'luk düşük on-state gerilim (Vce) ile verimli güç iletimi sağlar. Maksimum 45A'lik pulse akımı destekleyen transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Standard giriş tipi ile kolay entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V