Görsel mevcut değil
SIGC08T60EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC08T60EX1SA1 Hakkında
SIGC08T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir Trench Field Stop IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chipdir. 600V breakdown voltajında çalışan bu bileşen, maksimum 15A kolektör akımı ve 45A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.9V on-state voltajı ile düşük kayıp karakteristiği sunar. Die formunda sunulan bu IGBT, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans sergiler ve endüstriyel güç elektroniği tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V