Görsel mevcut değil
SIGC07T60SNCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC07T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V durdurma gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 6A sürekli kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu tekil çip, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V (15V gate geriliminde, 6A'da) açık gerilimi ve 24ns/248ns açma/kapanma süresi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, mirasına ait tasarımlarda yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
24ns/248ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V