Görsel mevcut değil
SIGC07T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC07T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter aralığında çalışan bu komponent, maksimum 6A DC collector akımı ve 18A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6A akım koşulunda maksimum 2.5V'tur. 24ns açılış ve 248ns kapanış sürelerine sahip olan cihaz, -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Surface mount die paketi ile sunulan bu IGBT, güç elektronik uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Standart input tipine sahip olan komponent, 400V ve 50Ohm test koşullarında karakterize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
24ns/248ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V