Görsel mevcut değil
SIGC07T60SNCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX1SA4 Hakkında
SIGC07T60SNCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) türü IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu üç çipli wafer bileşeni, maksimum 6A kollektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V tipik açılış gerilimi (Vce(on)) ve 24ns açılış / 248ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
24ns/248ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V