Görsel mevcut değil
SIGC07T60SNCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC07T60SNCX1SA3, 600V 6A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. Surface mount die paketi içinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum kollektör akımı 6A, darbe akımı ise 18A'dir. 2.5V on-state voltajı (Vce) ile düşük kayıp özellikleri sağlar. 24ns açılış ve 248ns kapanış zamanları ile hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, motor kontrol, güç dönüştürücüler, inverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
24ns/248ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V