Görsel mevcut değil
SIGC07T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC07T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan bu komponent, yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında, invertör devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 24ns/248ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesine olanak tanır. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
24ns/248ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V