Görsel mevcut değil
SIGC07T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC07T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 6A DC collector akımı ile çalışmaktadır. Pulsed modda 18A'e kadar çıkabilir. Standard input tipi girişle kontrol edilen transistör, 300V/6A test koşullarında 2.5V vce(on) değerine sahiptir. Anahtarlama karakteristiği on/off zamanı sırasıyla 21ns/110ns olup, -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir. Düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve ac/dc dönüştürücülerde kullanım görebilir. Not: Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 6A, 54Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V