Görsel mevcut değil
SIGC07T60NCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC07T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount die paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 21ns açılış ve 110ns kapanış sürelerine sahip transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. 18A pulse akım kapasitesi ile kısa süreli yüksek akım koşullarında kullanılabilir. Converter, inverter ve motor kontrol devrelerinde uygulanır. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 6A, 54Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V