Görsel mevcut değil
SIGC07T60NCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC07T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, maksimum 6A kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Standart giriş tipinde tasarlanan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri (21ns açılış, 110ns kapanış) ile güç dönüştürücü uygulamaları, motorlar, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji yönetimi devrelerinde kullanılır. Ürün eski durumda (Obsolete) olup, yüzey montaj uygulamaları için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 6A, 54Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V