Görsel mevcut değil
SIGC06T60EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 10A WAFER
SIGC06T60EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC06T60EX7SA1, 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 10A sürekli kollektör akımı ve 30A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 1.9V (15V gate voltaj, 10A kollektör akımında) açık durum voltajına sahiptir. Die paket formatında sunulan bu komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürücü ve anahtarlama devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Standard giriş tipi ile kontrol edilebilen bu IGBT, kompakt tasarım gerektiren sistemlerde tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V