Görsel mevcut değil
SIGC06T60EX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC06T60EX1SA2 Hakkında
SIGC06T60EX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu transistör, maksimum 600V collector-emitter gerilimi ile çalışır. Sürekli akım kapasitesi 10A, pulslu akım ise 30A'ye kadar ulaşabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 10A akımda 1.9V olarak belirlenmiştir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılmak üzere -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve endüstriyel dönüştürücülerde yer alır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V