Görsel mevcut değil
SIGC05T60SNCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC05T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC05T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör breakdown voltajı ve maksimum 4A DC kollektör akımı ile çalışan bu bileşen, pulse durumunda 12A'ye kadar akım taşıyabilir. Die paket formatında üretilen transistör, 22ns on ve 264ns off switching zamanları ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu IGBT, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerinde ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 2.5V Vce(on) ile düşük iletim kaybı sağlar. Bileşen obsolete durumda olmasına rağmen endüstriyel arşiv ve bakım uygulamalarında bulunabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
22ns/264ns
Test Condition
400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V