Görsel mevcut değil
SIGC05T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC05T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC05T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paket biçiminde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesi ile çalışır. 15V gate voltajında 2.5V sabit durum voltajı sağlayan transistör, 22ns açılış ve 264ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunan komponent, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetim uygulamalarında kullanılır. 400V, 4A test koşullarında karakterize edilmiştir. Ürün yaşam döngüsünde yaşlı statüdedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
22ns/264ns
Test Condition
400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V