Görsel mevcut değil
SIGC05T60SNCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC05T60SNCX1SA3 Hakkında
SIGC05T60SNCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT (Non-Punch Through) tipi bir IGBT transistördür. 600V voltaj sınıfında çalışan bu komponent, maksimum 4A sürekli collector akımı ve 12A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Die paketinde sunulan bu ürün, anahtarlama uygulamalarında güç kontrolü ve yönetimi için tasarlanmıştır. Açılış ve kapanış zamanları sırasıyla 22ns ve 264ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Standard giriş tipine sahip olup, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Kolektor-emitter doyum voltajı 15V kapı geriliminde 4A akımda maksimum 2.5V'dur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
22ns/264ns
Test Condition
400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V