Görsel mevcut değil
SIGC05T60SNCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC05T60SNCX1SA1 Hakkında
SIGC05T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V dielektrik dayanımı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Die format olarak sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol sistemlerinde yer alan özel uygulamalar için tasarlanmıştır. 15V gate voltajında 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 22ns açılış ve 264ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
22ns/264ns
Test Condition
400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V