Görsel mevcut değil
SIGC03T60EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 4A WAFER
SIGC03T60EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC03T60EX7SA1, 600V 4A kapasitesine sahip Trench Field Stop tipinde bir IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu komponent, maksimum 12A pulse akım ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A akımda 1.9V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışan bu komponent, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri ve switching güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarda kullanılır. Standard giriş tipine sahip olan transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V