Görsel mevcut değil
SIGC03T60EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC03T60EX1SA1 Hakkında
SIGC03T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 600V breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Standard input tipi ve die paketi formatında sunulur. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük açık durum kaybını sağlar. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde değerlendirilir. Surface mount teknolojisiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V