Görsel mevcut değil
SGW13N60UFDTM
SGW13N60UFDTM Hakkında
SGW13N60UFDTM, onsemi tarafından üretilen 600V sınıfı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 13A sürekli collector akımı ve 52A pulse akım kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sağlanır. 60W maksimum güç yeteneğine ve 2.6V VCE(on) değerine sahiptir. Hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bu bileşen (20ns açılış, 70ns kapanış süresi), düşük switching enerji tüketimi (85µJ açılış, 95µJ kapanış) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrol devreleri ve DC-DC konverter uygulamalarında tercih edilir. Şu anda üretimi durmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
25 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
85µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/70ns
Test Condition
300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V