Görsel mevcut değil
SGW10N60RUFDTM
SGW10N60RUFDTM Hakkında
SGW10N60RUFDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç derecelendirmesiyle tasarlanan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.8V olarak belirtilmiştir. 60ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleriyle (141µJ turn-on, 215µJ turn-off) endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Komponent şu anda üretim dışıdır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/36ns
Test Condition
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V