Görsel mevcut değil
SGS5N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 8A 35W TO220F
SGS5N60RUFDTU Hakkında
SGS5N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A sürekli kollektör akımı ve 15A pulse akımını destekler. 35W maksimum güç derecelendirmesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 16nC gate charge ve 88µJ on / 107µJ off switching energy değerleri ile düşük anahtarlama kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve fotovoltaik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
15 A
Gate Charge
16 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
35 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-220F-3
Switching Energy
88µJ (on), 107µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/34ns
Test Condition
300V, 5A, 40Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V