Görsel mevcut değil
SGS10N60RUFTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 16A 55W TO220F
SGS10N60RUFTU Hakkında
SGS10N60RUFTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 Full Pack paketlemesinde sunulan bu komponent, maksimum 16A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 55W güç yeterlilik seviyesi ve 141µJ (açılış) / 215µJ (kapanış) switching enerjisi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2.8V'dur. 30nC gate charge ile hızlı komütasyon işlemi gerçekleşir, açılış ve kapanış süreleri sırasıyla 15ns ve 36ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, invertör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve kaynak uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olmasına rağmen, değiştirme parça olarak veri tabanlarında bulunabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
55 W
Supplier Device Package
TO-220F-3
Switching Energy
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/36ns
Test Condition
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V