Görsel mevcut değil
SGS10N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 16A TO220F
SGS10N60RUFDTU Hakkında
SGS10N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 55W maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmıştır. Vce(on) 2.8V @ 15V, 10A ve 600V collector-emitter aralama gerilimi özellikleriyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 30nC kapı yükü ve 141µJ açılış/215µJ kapanış switching enerjisi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Ürün günümüzde obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
55 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-220F-3
Switching Energy
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/36ns
Test Condition
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V