Görsel mevcut değil
SGR2N60UFDTM
SGR2N60UFDTM Hakkında
SGR2N60UFDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2.4A collector akımı ve 25W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 600V breakdown voltajı ile orta seviye voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 9nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (15ns açılış, 80ns kapanış) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Anahtarlama güçleri on state'te 30µJ, off state'te 13µJ'dur. Hafif yük uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve similar anahtarlama devrelerinde kullanılır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2.4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
10 A
Gate Charge
9 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
30µJ (on), 13µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/80ns
Test Condition
300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V