Görsel mevcut değil
SGP6N60UFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 6A 30W TO220
SGP6N60UFDTU Hakkında
SGP6N60UFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 6A değerinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30W güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. 15 nC gate charge değeri ve düşük switching energy karakteristikleri sayesinde (on: 57µJ, off: 25µJ) yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce(on) değeri 2.6V (15V, 3A koşullarında) olup, 52 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilen bu bileşen artık obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Reverse Recovery Time (trr)
52 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
57µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/60ns
Test Condition
300V, 3A, 80Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V