Görsel mevcut değil
SGM2N60UFTF
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
SGM2N60UFTF Hakkında
SGM2N60UFTF, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 2.4A sürekli collector akımı ve 10A puls akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-223-4 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu komponentin maksimum power dissipation değeri 2.1W'tır. Gate charge değeri 9nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Switching energy değerleri on için 30µJ, off için 13µJ olarak belirtilmiştir. Bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve küçük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. Bileşen artık üretilmeyen kategorisindedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2.4 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
10 A
Gate Charge
9 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
SOT-223-4
Switching Energy
30µJ (on), 13µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/80ns
Test Condition
300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V