Görsel mevcut değil
SGL50N60RUFTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 250W TO264
SGL50N60RUFTU Hakkında
SGL50N60RUFTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A sürekli kolektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 250W güç derecelendirmesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.8V olup, 26ns açılış ve 66ns kapatılış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge 145nC ile verimli sürücü entegrasyonunu destekler. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu IGBT, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve switching power supplies gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen günümüzde obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-264-3
Switching Energy
1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/66ns
Test Condition
300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V