Görsel mevcut değil
SGL40N150DTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1500V 40A 200W TO264
SGL40N150DTU Hakkında
SGL40N150DTU, onsemi tarafından üretilen 1500V collector-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 40A sürekli collector akımı ve 120A pulse collector akımı ile tasarlanan bu bileşen, 200W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. TO-264-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 140nC gate charge ve 4.7V Vce(on) değerleri ile açılma-kapanma karakteristikleri tanımlanmıştır. Yüksek voltaj uygulamalarında, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanım için uygundur. 300ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirdiği için yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. Ürün deprecated durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
140 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
300 ns
Supplier Device Package
TO-264-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1500 V