Görsel mevcut değil
SGH80N60UFTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 195W TO3P
SGH80N60UFTU Hakkında
SGH80N60UFTU, onsemi tarafından üretilen 600V 80A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, 195W maksimum güç yönetimi için tasarlanmıştır. 23ns açılma ve 90ns kapanma süreleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maximum collector emitter gerilimi 600V olan cihaz, 220A pulse akımını destekler. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygun olup, 175nC gate charge'a ve 2.6V (15V gate geriliminde 40A akımda) Vce(on) değerine sahiptir. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel invertör uygulamalarında kullanılan bu transistör artık üretimi durdurulmuş durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
220 A
Gate Charge
175 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
195 W
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
570µJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/90ns
Test Condition
300V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V