Görsel mevcut değil
SGH40N60UFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 40A 160W TO3P
SGH40N60UFDTU Hakkında
SGH40N60UFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 40A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, maksimum 160W güç kabiliyeti ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 97 nC gate charge ve 60 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) max değeri 2.6V (15V gate, 20A collector akımında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Switching energy değerleri on için 160µJ, off için 200µJ'dür. Endüstriyel denetim devreleri, motor sürücüleri, AC/DC konvertörler ve benzer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
97 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
160µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
300V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V