Görsel mevcut değil
SGH40N60UFDM1TU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 40A 160W TO3P
SGH40N60UFDM1TU Hakkında
SGH40N60UFDM1TU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 160W maksimum güç yayınlayabilir. TO-3P paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 97nC gate charge ve 15ns açılış / 65ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün artık üretilmeyen (obsolete) durumdadır ve yerine daha yeni versiyonlar tercih edilmelidir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
97 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
160µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
300V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V