Görsel mevcut değil
SGH30N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 48A 235W TO3P
SGH30N60RUFDTU Hakkında
SGH30N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 48A DC kolektör akımı ve 235W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. TO-3P paket ile through-hole montajı destekler. Bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır; özellikle DC-AC konverterler, motor sürücüler, kaynak makinaları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 30ns açılış ve 54ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
85 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
235 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
919µJ (on), 814µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/54ns
Test Condition
300V, 30A, 7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V