Görsel mevcut değil
SGH15N60RUFTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 24A 160W TO3P
SGH15N60RUFTU Hakkında
SGH15N60RUFTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 24A maksimum collector akımı ve 160W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Switching karakteristikleri (17ns açılış, 44ns kapanış süresi) ile orta hızlı anahtarlama gereksinimlerinde kullanılabilir. 42nC gate charge değeri ile kontrol devreleri basitçe tasarlanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC/DC konvertörler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Parça durumu obsolete olup, yeni tasarımlarda modern alternatiflerin tercih edilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
42 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
320µJ (on), 356µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/44ns
Test Condition
300V, 15A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V