Görsel mevcut değil
SGH15N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 24A 160W TO3P
- Aile / Seri
- SGH15N60RU
SGH15N60RUFDTU Hakkında
SGH15N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 24A maksimum collector akımı ve 160W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-3P (SC-65-3) paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 42 nC gate yükü ve 17ns/44ns açma/kapanma gecikmesiyle hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 300V/15A test koşullarında 2.8V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel sürücüler, inverterler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
42 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
320µJ (on), 356µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/44ns
Test Condition
300V, 15A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
