Görsel mevcut değil
SGH10N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 16A 75W TO3P
SGH10N60RUFDTU Hakkında
SGH10N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, inverter ve switching güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.8V (15V, 10A şartlarında) olarak belirtilmiştir. Tersine recovery zamanı 60ns'dir. Parça tasarımları için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/36ns
Test Condition
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V