Görsel mevcut değil
SGH10N60RUFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 16A 75W TO3P
- Aile / Seri
- SGH10N60RUFD
SGH10N60RUFDTU Hakkında
SGH10N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, inverter ve switching güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.8V (15V, 10A şartlarında) olarak belirtilmiştir. Tersine recovery zamanı 60ns'dir. Parça tasarımları için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/36ns
Test Condition
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
