Görsel mevcut değil
SGF23N60UFDM1TU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 23A 75W TO3PF
SGF23N60UFDM1TU Hakkında
SGF23N60UFDM1TU, onsemi tarafından üretilen 600V 23A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 75W güç tüketimi ve 92A pulslu kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 49nC gate charge ve 17ns/60ns açılma/kapanma süresi özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Reverse recovery time 60ns olup, switching energy değerleri on için 115µJ, off için 135µJ'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak cihazları ve UPS sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi durdurulmuş olup, kullanılan sistemlerin bakım ve onarımında bulunabilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
49 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-3PF
Switching Energy
115µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/60ns
Test Condition
300V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V