Görsel mevcut değil
SGD06N60BUMA1
SGD06N60BUMA1 Hakkında
SGD06N60BUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip olan bu bileşen, 12A sürekli collector akımı ve 24A pulsed collector akımı kapasitesi ile çalışabilmektedir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 68W maksimum güç dağıtımına uygundur. Gate charge değeri 32nC olup, switching energy 215µJ'dir. Td(on) 25ns ve Td(off) 220ns ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu IGBT, invertör devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 6A akımda 2.4V'dur. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
68 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
215µJ
Td (on/off) @ 25°C
25ns/220ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V