Görsel mevcut değil
SGD02N120BUMA1
SGD02N120BUMA1 Hakkında
SGD02N120BUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 6.2A sürekli collector akımı ve 9.6A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 62W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, 3.6V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 2A collector akımında) ile çalışır. 11nC gate charge ve 23ns/260ns açılma/kapanma zamanlarıyla hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C junction sıcaklık aralığında çalışan bu IGBT, AC motor sürücüleri, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Üretici tarafından Last Time Buy durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.6 A
Gate Charge
11 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
62 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
220µJ
Td (on/off) @ 25°C
23ns/260ns
Test Condition
800V, 2A, 91Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V