Görsel mevcut değil
SGB30N60ATMA1
SGB30N60ATMA1 Hakkında
SGB30N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT tipi bu bileşen, maksimum 41A sürekli akım ve 112A darbe akımı ile çalışabilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponentin maksimum güç dağılımı 250W'tır. 44ns açılış ve 291ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlamanın gerektiği uygulamalarda tercih edilir. 140nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu IGBT, endüstriyel invertörler, motor kontrol sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımda 2.4V'tur. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsüne sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Gate Charge
140 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
1.29mJ
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V