Görsel mevcut değil
SGB20N60ATMA1
SGB20N60ATMA1 Hakkında
SGB20N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 40A sürekli kollektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılmaktadır. 2.4V maksimum Vce(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlar. 100nC gate charge ve 36ns/225ns açılış/kapanış gecikmesi zamanlarıyla hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
440µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/225ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V