Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
SGB20N60ATMA1
SGB20N60ATMA1 Hakkında
SGB20N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 40A sürekli kollektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılmaktadır. 2.4V maksimum Vce(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlar. 100nC gate charge ve 36ns/225ns açılış/kapanış gecikmesi zamanlarıyla hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
440µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/225ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
