Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
SGB15N60HSATMA1
SGB15N60HSATMA1 Hakkında
SGB15N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 27A sürekli collector akımı ve 60A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 138W maksimum güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 80nC gate charge ve 13ns/209ns açılış/kapanış gecikmesi ile düşük kayıplar sunar. Switching Energy 530µJ seviyesindedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
138 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
530µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/209ns
Test Condition
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
