SGB15N60HSATMA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-263-3
Açıklama: IGBT 600V 27A 138W TO263-3

SGB15N60HSATMA1 Hakkında

SGB15N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 27A sürekli collector akımı ve 60A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 138W maksimum güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 80nC gate charge ve 13ns/209ns açılış/kapanış gecikmesi ile düşük kayıplar sunar. Switching Energy 530µJ seviyesindedir.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 27 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A

Gate Charge 80 nC

IGBT Type NPT

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Part Status Obsolete

Power - Max 138 W

Supplier Device Package PG-TO263-3-2

Switching Energy 530µJ

Td (on/off) @ 25°C 13ns/209ns

Test Condition 400V, 15A, 23Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 15A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V