Görsel mevcut değil
SGB15N120ATMA1
SGB15N120ATMA1 Hakkında
SGB15N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/30A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 198W güç tahliyesi kapasitesine sahip olan cihaz, 130nC gate charge değeri ile kontrollü anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen transistör, 1.9mJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışır. Şu anda Last Time Buy durumunda olan ürün, motor kontrol, inverter, konvertör ve benzeri güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
198 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
1.9mJ
Td (on/off) @ 25°C
18ns/580ns
Test Condition
800V, 15A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V