Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
SGB10N60AATMA1
SGB10N60AATMA1 Hakkında
SGB10N60AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 20A sürekli collector akımı ve 40A darbe akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip bu IGBT, 92W maksimum güç dağıtımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmıştır. 28ns açılış ve 178ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
52 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
92 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
320µJ
Td (on/off) @ 25°C
28ns/178ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
