Görsel mevcut değil
SGB10N60AATMA1
SGB10N60AATMA1 Hakkında
SGB10N60AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 20A sürekli collector akımı ve 40A darbe akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip bu IGBT, 92W maksimum güç dağıtımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmıştır. 28ns açılış ve 178ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
52 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
92 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
320µJ
Td (on/off) @ 25°C
28ns/178ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V