Görsel mevcut değil
SGB07N120ATMA1
SGB07N120ATMA1 Hakkında
SGB07N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. 16.5A sürekli kolektör akımı ve 27A pulsed kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 27ns turn-on ve 440ns turn-off süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 70nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimleri vardır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışma kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
27 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
1mJ
Td (on/off) @ 25°C
27ns/440ns
Test Condition
800V, 8A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V