Görsel mevcut değil
SGB02N60ATMA1
SGB02N60ATMA1 Hakkında
SGB02N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT teknolojisi kullanan bu bileşen, maksimum 6A sürekli kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, yüksek hız anahtarlaması gerektiren uygulamalarda kullanılmaktadır. 30W maksimum güç derecelemesi ile elektrik güç dönüştürme, motor kontrol devreleri, sürücü devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 64µJ anahtarlama enerjisi ve düşük geçiş gecikmesi özellikleriyle verimli devrelerin tasarlanmasına olanak tanır. Mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
14 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
64µJ
Td (on/off) @ 25°C
20ns/259ns
Test Condition
400V, 2A, 118Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V