Görsel mevcut değil
SGB02N120ATMA1
SGB02N120ATMA1 Hakkında
SGB02N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/6.2A IGBT transistörüdür. NPT tipi bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 paketinde sunulan transistör, 62W güç kapasitesine ve 11nC gate charge değerine sahiptir. 23ns açılış, 260ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel sürücüler, DC/DC konverterler ve motor kontrol devreleri gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Son kullanma tarihi yaklaşan (Last Time Buy) ürün olup yedek parça olarak da tercih edilebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.6 A
Gate Charge
11 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
62 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
220µJ
Td (on/off) @ 25°C
23ns/260ns
Test Condition
800V, 2A, 91Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V