Görsel mevcut değil
SBC808-25LT1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SBC808-25 - PNP BIPOLAR TRANSIST
SBC808-25LT1G Hakkında
SBC808-25LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 300mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Minimum 160 hFE DC current gain değeri ile sinyal amplifikasyonunda yeterli kazanç sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V