Görsel mevcut değil
S8050-D-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR TO-92
S8050-D-AP Hakkında
S8050-D-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paket formatında sunulmaktadır. Maksimum 500mA collector akımı, 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 625mW güç yönetim kapasitesiyle tasarlanmıştır. 150MHz transition frekansı ve 160 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygundur. TTL ve CMOS lojik devreleriyle uyumlu olup ses amplifikatörleri, fotoelektrik sensörler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmıştır. Through-hole montaj türü PCB üzerine doğrudan lehimlemeye imkan tanır. Bileşenin production status obsolete olup yedek ve restore projelerinde tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V