Görsel mevcut değil
RJP65T54DPM-E0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH TO-3FP
RJP65T54DPM-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP65T54DPM-E0#T2, 650V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip Trench tipi IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 225A pulslu akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63.5W maksimum dissipasyon gücü ve 1.68V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 30A akımda) ile verimli çalışma sağlar. 72nC gate charge ve 35ns/120ns açılış/kapanış gecikmesi hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde üretilen bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, dc-dc konvertörler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
72 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
63.5 W
Supplier Device Package
TO-3PF
Switching Energy
330µJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/120ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.68V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V